“董事長，尼康方麵要是請我們幫忙為DSP-100升級雙工作台係統，我們是否答應？”
去年2月，尼康方麵花錢請BSEC為NSR-S308F乾式光刻機升級相匹配的雙工作台係統。
在攻克193nm波長的世界性光學難題上，BSEC、GCA和ASML最後走的是134nm波長的浸潤式技術，Nikon和Canon走的是157nm波長的乾式技術。
按照當初同尼康公司簽訂的授權技術專利的許可合同，BSEC冇有責任和義務專門為尼康公司的NSR-S308F乾式光刻機，升級相匹配的磁懸浮式雙工作台係統。
孫董事長冇有同意！
“魏總，不要答應！”
“好的，董事長！”
1993年7月，在孫健的“指引”下，鄧國輝院士掛帥，鐘德偉教授和夏季常教授擔任副組長的聯合攻關組，研製成功為光刻機配套的世界首套磁懸浮式雙工作台係統（包括硬體和軟件），原理是二個平台交替工作，一個平台在做晶圓曝光時，另一個平台做量測、矯正等後續任務，然後二個平台交換位置，整個過程在一個小時內重複225次，能提高晶圓生產效率35%，這項世界首創的發明專利屬於前世三大光刻機核心專利技術之一。
通過多次升級，如今一個小時內達到了285次。
孫健冇有藏著掖著，BSEC當時對外公開承諾，等拿到公司發明專利後，向全球光刻機公司許可技術專利。
在18個月的漫長等待後，1995年2月，BSEC獲得歐美、日本和韓國等國專利局授予的公司發明專利後，按照當初的承諾，分彆同ASML、Nikon和Canon等簽訂許可合同，授權技術專利；專利使用費相當於每台光刻機售價的1%。
從此，BSEC有了名氣，也有了吃飯的本錢！
精明的孫健不會做一錘子買賣！
BSEC當初冇有向尼康等公司轉讓這項技術專利，專利權仍歸BSEC所有，被授權人僅獲得在約定範圍內使用該專利的權利。
許可合同規定，由BSEC統一升級。
許可合同還規定，被授權人未按時支付專利使用費、私自升級等侵權行為和違反使用範圍約定等情況，BSEC有權按照許可合同約定收回專利授權。
1993年8月，GCA同BSEC簽訂了磁懸浮式雙工作台係統專利和ArF準分子鐳射器專利互換協定，都有對方軟件的源代碼，可以自行升級，GCA不需要支付雙工作台的專利使用費。
GCA多次升級的雙工作台係統專利還屬於BSEC所用。
孫健從夏季常院士的口中得知，雙工作台的核心技術是如何精準控製、加速度、避免震動、避免發熱等方麵？
1996年9月，ASML也研發成功全球第二種雙工作台技術，如今還落後BSEC二代，ASML量產的TWINSCANNXT1400i上使用還是BSEC許可的最新一代磁懸浮雙工作台係統。
前世，ASML就是靠自己獨創的光刻機雙工作台技術和浸冇式光刻機打敗了全球光刻機老大尼康公司！
EUV光刻機錦上添花，完勝尼康公司。
前世，ASML冇有許可光刻機雙工作台技術給尼康公司使用，人才濟濟的尼康公司在孫健重生前也冇有研發成功光刻機雙工作台技術，可見雙工作台技術的難度，被稱為光刻機三大核心技術之一名望所歸。
重生前，孫健在網絡上看到華清一名教授領導的團隊研發成功全球第二種光刻機雙工作台，打破了ASML在工作台上的技術壟斷。
在公司核心技術專利的許可上，孫健被全球公認最開明、冇有成見的企業家之一。
孫健經常告訴眾人，不要輕視尼康公司！
2001年11月初，EUVLLC聯盟證明瞭製造EUV光刻機在理論上的可行性。
2004年5月，GCAEUV光刻機公司研發成功一台EUV鐳射器和一台EUV光刻機原型機。
EUV鐳射器和EUV光刻機原型機在全球引起極大的轟動，阻礙全球半導體產業發展的技術瓶頸被美國科學家攻克。
一般人不知道，以尼康和佳能為首的日本半導體公司也在緊鑼密鼓的研發EUV光刻機。
很少人知道，EUV光刻技術最早起源於20世紀80年代中期的日本！
1985年，時任日本電信巨頭NTT研究員的木下博夫(HirooKinoshita)搭建了世界首台EUV光刻實驗裝置，成功地蝕刻出了4um的圖案，這是人類曆史上首次使用EUV進行光刻，同時這張圖片也是人類曆史上第一張EUV光刻圖像。
木下博夫前世被公認為是EUV光刻技術的奠基人。
1986年，木下博夫在日本應用物理學會的一次會議上報告了他的成就，但當時他的演講遭到高度懷疑。
1989年，木下博夫利用美國加州一個太空飛行實驗室開發的基於鉬和矽的EUV反射鏡，成功刻下了0.5um的圖案，這一次真正讓人開始重視這項技術。
1993年，木下博夫組織了一次有關EUV技術的美日會議，吸引了約50名研究人員參加，建立了兩國之間在EUV光刻技術上的聯絡。
不過，尼康和佳能等日本光刻機公司當時對EUV並不感興趣，他們更關注近X射線技術，EUV技術隻是備選技術。
1997年10月，湯普森院士出麵邀請英特爾和美國能源部共同開發EUV的訊息傳到日本，EUV-LLC的目的是實現EUV光刻技術的商業化，美國晶片產業巨頭對EUV技術的熱情讓日本光刻機行業感到意外和震驚。
1998年，由日本通商產業省牽頭，啟動了日本的EUV技術研究項目，目標也是實現EUV光刻技術的商業化。
日本的這個項目總共分成了三個階段，第一階段，研究和開發EUV光刻的基礎技術，主要包括三大部分，分彆是曝光工具、掩膜和光刻膠，第一階段的項目週期是從1998年到2001年；第一階段的領導機構和資金來源是日本超先進電子技術協會（ASET）。
ASET也是日本通商產業省全額資助的研究機構。
第二階段基於ASET的基礎技術研究成果，將其轉化成試驗樣機，日本的半導體公司將在這一方麵提供部分資金支援，第二階段將從2001到2003年，曆時3年；這一階段冇有確定具體的領導者，日本想要達到百花齊放的效果。
第三階段是從2003年到2006年，目標是由日本的半導體公司把試驗樣機轉化成商業化產品，半導體前沿技術聯盟（SELETE）以及日本的兩大光刻機巨頭尼康和佳能，將主要負責這個階段。